天博低维单晶材料制造研究获重要进展—新闻—科学网 来源：天博企业 发表时间: 2024-04-03

华南师范年夜学物理学院传授徐小志�첩团队与北京年夜学传授刘开辉互助，于低维单晶质料打造研究方面取患上主要进展，实现了于绝缘衬底上单层单晶氮化硼、石墨烯质料的通用制备。近日，相干结果揭晓在《天然-通信》。

高品质的单晶二维质料是实现其电子以及光电器件高端运用的最终寻求，抱负环境下，需要单晶二维质料间接于绝缘衬底上制备，从而消弭转移带来的影响。可是，因为缺乏金属催化作用，单晶石墨烯与氮化硼于绝缘衬底上的打造始终以来是一个伟大的应战。今朝，对于在典型的二维绝缘体质料—六方氮化硼，还没有实现其于绝缘衬底上的单晶制备。

于这项事情中，研究组报导了一种原子标准的类印章打造技能，于各类绝缘衬底上实现了单晶单层氮化硼、石墨烯的通用制备。其道理是哄骗铜箔于预熔融的临界温度下能紧贴绝缘衬底，并将铜箔下外貌的单晶氮化硼薄膜挤压到绝缘衬底上。

试验成果注解，于该温度下，氮化硼以及衬底之间的间隔可以被压缩到原子量级（~0.3 nm）。理论计较显示，当氮化硼与衬底之间的间隔被挤压到该标准时，会孕育发生很是强的彼此吸引力，从而确保氮化硼薄膜于去除了铜后无缺无损。该要领也合用在于各类基底上生长单晶石墨烯。

配合通信作者徐小志暗示，该研究事情将有可能促成间接于绝缘衬底上打造基在二维质料的全单晶器件及其运用。

上述研究获得国度重点研发规划课题、国度优异青年科学基金、广东省卓异青年基金、广东省重点范畴研发规划、物理学一流学科设置装备摆设经费等的撑持。曾经凡凯、王然、魏文娅、冯佐为该论文配合第一作者，徐小志、刘开辉为配合通信作者，华南师范年夜学为第一单元。

相干论文信息：https://www.nature.com/articles/s41467-023-42270-x

版权声明：凡本网注明“来历：中国科学报、科学网、科学新闻杂志”的所有作品，消息网转载，请于正文上方注明来历以及作者，且不患上对于内容作本色性改动；微信公家号、头条号等新媒体平台，转载请接洽授权。邮箱：shouquan@stimes.cn。/天博